به گزارش مجله خبری نگار،محققان دانشگاه ملی سئول و دانشگاه سونگ کیونکوان به تازگی روشی برای رشد آرایههای نیترید گالیم بر روی یک لایه گرافن انعطاف پذیر ارائه کرده اند. این ساختار که به آرایههای میکرودیسک شهرت دارد، از بلورینگی عالی برخوردار بوده و با جهت گیری یکنواخت درون صفحه، تابش نور آبی قوی را از خود نشان میدهند.
محققان میکرودیسکهای GaN را روی یک لایه گرافن (که روی یک بستر یاقوت کبود قرار دارد) تثبت کردند؛ لایهای که با یک ماسک SiO۲ با الگوی ریز با استفاده از اپیتاکسی فاز بخار آلی فلزی پوشانده شده است. این میکرودیسکها در ادامه به میکروالای دی تبدیل شده و سپس با موفقیت به روی بسترهای قابل انعطاف منتقل شدند.
این تحقیق نشان داد که امکان رشد الای دیهای با کیفیت بالا بر روی گرافن و سپس ادغام آن در دستگاههای میکرو led انعطاف پذیر وجود دارد.